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Artigo de periodico
Performance of differential pair circuits designed with line tunnel FET devices at different temperatures (2018)
Martino, Márcio Dalla Valle; Claeys, Cor ; Agopian, Paula Ghedini Der ; Rooyackers, Rita; Simoen, Eddy ; Martino, João Antonio
Source: Semiconductor Science and Technology. Unidade: EP
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
MARTINO, Márcio Dalla Valle et al. Performance of differential pair circuits designed with line tunnel FET devices at different temperatures. Semiconductor Science and Technology, v. 33, n. 7, p. 075012, 2018Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/1361-6641/aac4fd. Acesso em: 10 maio 2024.
APA
Martino, M. D. V., Claeys, C., Agopian, P. G. D., Rooyackers, R., Simoen, E., & Martino, J. A. (2018). Performance of differential pair circuits designed with line tunnel FET devices at different temperatures. Semiconductor Science and Technology, 33( 7), 075012. doi:10.1088/1361-6641/aac4fd
NLM
Martino MDV, Claeys C, Agopian PGD, Rooyackers R, Simoen E, Martino JA. Performance of differential pair circuits designed with line tunnel FET devices at different temperatures [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2018 ; 33( 7): 075012.[citado 2024 maio 10 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6641/aac4fd
Vancouver
Martino MDV, Claeys C, Agopian PGD, Rooyackers R, Simoen E, Martino JA. Performance of differential pair circuits designed with line tunnel FET devices at different temperatures [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2018 ; 33( 7): 075012.[citado 2024 maio 10 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6641/aac4fd
Artigo de periodico
Analysis of current mirror circuits designed with line tunnel FET devices at different temperatures (2017)
Martino, Márcio Dalla Valle; Claeys, Cor ; Rooyackers, Rita; Simoen, Eddy ; Agopian, Paula Ghedini Der ; Vandooren, A; Martino, João Antonio
Source: Semiconductor Science and Technology. Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES
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ABNT
MARTINO, Márcio Dalla Valle et al. Analysis of current mirror circuits designed with line tunnel FET devices at different temperatures. Semiconductor Science and Technology, v. 32, n. 5, p. 055015, 2017Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/1361-6641/aa6764. Acesso em: 10 maio 2024.
APA
Martino, M. D. V., Claeys, C., Rooyackers, R., Simoen, E., Agopian, P. G. D., Vandooren, A., & Martino, J. A. (2017). Analysis of current mirror circuits designed with line tunnel FET devices at different temperatures. Semiconductor Science and Technology, 32( 5), 055015. doi:10.1088/1361-6641/aa6764
NLM
Martino MDV, Claeys C, Rooyackers R, Simoen E, Agopian PGD, Vandooren A, Martino JA. Analysis of current mirror circuits designed with line tunnel FET devices at different temperatures [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2017 ; 32( 5): 055015.[citado 2024 maio 10 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6641/aa6764
Vancouver
Martino MDV, Claeys C, Rooyackers R, Simoen E, Agopian PGD, Vandooren A, Martino JA. Analysis of current mirror circuits designed with line tunnel FET devices at different temperatures [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2017 ; 32( 5): 055015.[citado 2024 maio 10 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6641/aa6764
Artigo de periodico
Performance of TFET and FinFET devices applied to current mirrors for different dimensions and temperatures (2016)
Martino, Márcio Dalla Valle; Martino, João Antonio ; Agopian, Paula Ghedini Der ; Vandooren, A; Rooyackers, Rita; Simoen, Eddy ; Claeys, Cor
Source: Semiconductor Science and Technology. Unidade: EP
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
MARTINO, Márcio Dalla Valle et al. Performance of TFET and FinFET devices applied to current mirrors for different dimensions and temperatures. Semiconductor Science and Technology, v. 31, n. 5, 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0268-1242/31/5/055001. Acesso em: 10 maio 2024.
APA
Martino, M. D. V., Martino, J. A., Agopian, P. G. D., Vandooren, A., Rooyackers, R., Simoen, E., & Claeys, C. (2016). Performance of TFET and FinFET devices applied to current mirrors for different dimensions and temperatures. Semiconductor Science and Technology, 31( 5). doi:10.1088/0268-1242/31/5/055001
NLM
Martino MDV, Martino JA, Agopian PGD, Vandooren A, Rooyackers R, Simoen E, Claeys C. Performance of TFET and FinFET devices applied to current mirrors for different dimensions and temperatures [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2016 ; 31( 5):[citado 2024 maio 10 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/31/5/055001
Vancouver
Martino MDV, Martino JA, Agopian PGD, Vandooren A, Rooyackers R, Simoen E, Claeys C. Performance of TFET and FinFET devices applied to current mirrors for different dimensions and temperatures [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2016 ; 31( 5):[citado 2024 maio 10 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/31/5/055001
Artigo de periodico
Analog performance of vertical nanowire TFETs as a function of temperature and transport mechanism (2015)
Martino, Márcio Dalla Valle; Thean, Aaron; Claeys, Cor ; Neves, Felipe S; Agopian, Paula Ghedini Der ; Martino, João Antonio ; Vandooren, A; Rooyackers, Rita; Simoen, Eddy
Source: Solid-State Electronics. Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, MICROELETRÔNICA
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ABNT
MARTINO, Márcio Dalla Valle et al. Analog performance of vertical nanowire TFETs as a function of temperature and transport mechanism. Solid-State Electronics, v. 112, p. 51-55, 2015Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2015.02.006. Acesso em: 10 maio 2024.
APA
Martino, M. D. V., Thean, A., Claeys, C., Neves, F. S., Agopian, P. G. D., Martino, J. A., et al. (2015). Analog performance of vertical nanowire TFETs as a function of temperature and transport mechanism. Solid-State Electronics, 112, 51-55. doi:10.1016/j.sse.2015.02.006
NLM
Martino MDV, Thean A, Claeys C, Neves FS, Agopian PGD, Martino JA, Vandooren A, Rooyackers R, Simoen E. Analog performance of vertical nanowire TFETs as a function of temperature and transport mechanism [Internet]. Solid-State Electronics. 2015 ; 112 51-55.[citado 2024 maio 10 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2015.02.006
Vancouver
Martino MDV, Thean A, Claeys C, Neves FS, Agopian PGD, Martino JA, Vandooren A, Rooyackers R, Simoen E. Analog performance of vertical nanowire TFETs as a function of temperature and transport mechanism [Internet]. Solid-State Electronics. 2015 ; 112 51-55.[citado 2024 maio 10 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2015.02.006
Artigo de periodico
Nanowire Tunnel Field Effect Transistors at High Temperature (2013)
Martino, Márcio Dalla Valle; Neves, Felipe Souza; Agopian, Paula Ghedini Der ; Martino, João Antonio ; Rooyackers, Rita; Claeys, Cor
Source: Journal of Integrated Circuits and Systems. Unidade: EP
Assunto: NANOELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARTINO, Márcio Dalla Valle et al. Nanowire Tunnel Field Effect Transistors at High Temperature. Journal of Integrated Circuits and Systems, v. 8, n. 2, p. 110-115, 2013Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.29292/jics.v8i2.381. Acesso em: 10 maio 2024.
APA
Martino, M. D. V., Neves, F. S., Agopian, P. G. D., Martino, J. A., Rooyackers, R., & Claeys, C. (2013). Nanowire Tunnel Field Effect Transistors at High Temperature. Journal of Integrated Circuits and Systems, 8( 2), 110-115. doi:10.29292/jics.v8i2.381
NLM
Martino MDV, Neves FS, Agopian PGD, Martino JA, Rooyackers R, Claeys C. Nanowire Tunnel Field Effect Transistors at High Temperature [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2013 ;8( 2): 110-115.[citado 2024 maio 10 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v8i2.381
Vancouver
Martino MDV, Neves FS, Agopian PGD, Martino JA, Rooyackers R, Claeys C. Nanowire Tunnel Field Effect Transistors at High Temperature [Internet]. Journal of Integrated Circuits and Systems. 2013 ;8( 2): 110-115.[citado 2024 maio 10 ] Available from: https://doi.org/10.29292/jics.v8i2.381
Trabalho de evento
Temperature influence on nanowire tunnel field effect transistors (2012)
Neves, Felipe Souza; Martino, Márcio Dalla Valle; Agopian, Paula Ghedini Der ; Martino, João Antonio ; Rooyackers, Rita ; Leonelli, Daniele ; Claeys, Cor
Source: Microelectronics technology and devices, SBMicro. Conference titles: International Symposium on Microelectronics Technology and Devices. Unidade: EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NEVES, Felipe Souza et al. Temperature influence on nanowire tunnel field effect transistors. 2012, Anais.. Pennington: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo, 2012. Disponível em: https://doi.org/10.1149/04901.0223ecst. Acesso em: 10 maio 2024.
APA
Neves, F. S., Martino, M. D. V., Agopian, P. G. D., Martino, J. A., Rooyackers, R., Leonelli, D., & Claeys, C. (2012). Temperature influence on nanowire tunnel field effect transistors. In Microelectronics technology and devices, SBMicro. Pennington: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo. doi:10.1149/04901.0223ecst
NLM
Neves FS, Martino MDV, Agopian PGD, Martino JA, Rooyackers R, Leonelli D, Claeys C. Temperature influence on nanowire tunnel field effect transistors [Internet]. Microelectronics technology and devices, SBMicro. 2012 ;[citado 2024 maio 10 ] Available from: https://doi.org/10.1149/04901.0223ecst
Vancouver
Neves FS, Martino MDV, Agopian PGD, Martino JA, Rooyackers R, Leonelli D, Claeys C. Temperature influence on nanowire tunnel field effect transistors [Internet]. Microelectronics technology and devices, SBMicro. 2012 ;[citado 2024 maio 10 ] Available from: https://doi.org/10.1149/04901.0223ecst
Artigo de periodico
Cross-section features influence on surrounding MuGFETs (2010)
Martino, Márcio Dalla Valle; Agopian, Paula Ghedini Der ; Martino, João Antonio
Source: Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARTINO, Márcio Dalla Valle e AGOPIAN, Paula Ghedini Der e MARTINO, João Antonio. Cross-section features influence on surrounding MuGFETs. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, v. 31, n. 1, p. 91-98, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1149/1.3474146. Acesso em: 10 maio 2024.
APA
Martino, M. D. V., Agopian, P. G. D., & Martino, J. A. (2010). Cross-section features influence on surrounding MuGFETs. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, 31( 1), 91-98. doi:10.1149/1.3474146
NLM
Martino MDV, Agopian PGD, Martino JA. Cross-section features influence on surrounding MuGFETs [Internet]. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. 2010 ;31( 1): 91-98.[citado 2024 maio 10 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3474146
Vancouver
Martino MDV, Agopian PGD, Martino JA. Cross-section features influence on surrounding MuGFETs [Internet]. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. 2010 ;31( 1): 91-98.[citado 2024 maio 10 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3474146
Trabalho de evento-resumo
Estudo dos efeitos característicos da tecnologia SOI em ampla faixa de temperatura (2008)
Martino, Márcio Dalla Valle; Agopian, Paula Ghedini Der ; Van Noije, Wilhelmus Adrianus Maria ; Martino, João Antonio
Source: 16 SIICUSP: anais.. Conference titles: Simpósio Internacional de Iniciação Científica da Universidade de São Paulo. Unidade: EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARTINO, Márcio Dalla Valle et al. Estudo dos efeitos característicos da tecnologia SOI em ampla faixa de temperatura. 2008, Anais.. São Paulo: Universidade de São Paulo, 2008. . Acesso em: 10 maio 2024.
APA
Martino, M. D. V., Agopian, P. G. D., Van Noije, W. A. M., & Martino, J. A. (2008). Estudo dos efeitos característicos da tecnologia SOI em ampla faixa de temperatura. In 16 SIICUSP: anais.. São Paulo: Universidade de São Paulo.
NLM
Martino MDV, Agopian PGD, Van Noije WAM, Martino JA. Estudo dos efeitos característicos da tecnologia SOI em ampla faixa de temperatura. 16 SIICUSP: anais. 2008 ;[citado 2024 maio 10 ]
Vancouver
Martino MDV, Agopian PGD, Van Noije WAM, Martino JA. Estudo dos efeitos característicos da tecnologia SOI em ampla faixa de temperatura. 16 SIICUSP: anais. 2008 ;[citado 2024 maio 10 ]

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